SSD Samsung 9100 Pro 2TB PCIe 5.0 M.2 con Disipador
0 Opiniones
Descripción
Experimenta el futuro del almacenamiento con el SSD Samsung 9100 Pro 2TB PCIe 5.0 M.2 con Disipador, diseñado para satisfacer las necesidades más exigentes de rendimiento y fiabilidad. Gracias a su interfaz PCIe® 5.0 x4, este dispositivo lleva la velocidad de transferencia a nuevos niveles y redefine lo que los usuarios pueden esperar de un SSD. Por su impresionante capacidad de almacenamiento de 2TB, combinado con la avanzada tecnología Samsung V-NAND TLC, este producto es la elección perfecta para entusiastas del hardware, profesionales del contenido y jugadores que no pueden permitirse ralentizaciones.
Rendimiento superior
Con una velocidad de lectura secuencial de hasta 14,700 MB/s y una velocidad de escritura secuencial de hasta 13,400 MB/s, este SSD ofrece un rendimiento imbatible que satisface las demandas de cualquier aplicación moderna. Además, con capacidades de lectura y escritura aleatoria de 1,850,000 IOPS y 2,600,000 IOPS respectivamente, las tareas más complejas se procesarán con facilidad. Esto se traduce en tiempos de carga increíblemente rápidos y una experiencia informática ágil y fluida.
Innovación en seguridad
La seguridad de tus datos es primordial. Con una encriptación AES de 256 bits y compatibilidad con TCG Opal e IEEE1667, tus datos estarán siempre protegidos. Esta capacidad de seguridad avanzada garantiza que la información personal y profesional esté a salvo de accesos no autorizados.
Disipación y durabilidad
Equipado con un eficiente disipador de calor, el SSD Samsung 9100 Pro está diseñado para mantener sus temperaturas bajo control, incluso durante cargas de trabajo intensivas. Además, la resistencia a los golpes de 1500G asegura que el almacenamiento no solo es rápido, sino que también es robusto y confiable en cualquier situación.
Especificaciones del SSD Samsung 9100 Pro 2TB PCIe 5.0 M.2 con Disipador
- Factor de forma: M.2 2280
- Capacidad: 2TB
- Interfaz: PCIe® 5.0 x4 / NVMe™ 2.0
- Tipo de memoria: Samsung V-NAND TLC
- Memoria caché: Samsung 2GB DDR4X SDRAM
- Encriptación: AES 256-bit Encryption (Class 0) TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
- Lectura secuencial: Hasta 14700 MB/s
- Escritura secuencial: Hasta 13400 MB/s
- Lectura 4KB: 1.850.000 IOPS
- Escritura 4KB: 2.600.000 IOPS
- Resistencia a los golpes: 1500G
Dimensiones y peso
- Dimensiones: 80.15 x 22.15 x 2.38 mm
- Peso: 9 g
Pago Seguro
Envío 24/48 horas
Financia a tu gusto